特許
J-GLOBAL ID：200903014631068240
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-090011
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152640
出願日： 2009年04月02日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】低温で薄膜を形成した場合であっても、高品質な薄膜が形成できる半導体デバイスの基板処理装置を提供する。【解決手段】ウエハ200を収容する処理室201内に第1の反応物質を供給し、ウエハ200の表面に存在する反応サイトとしての配位子と、第1の反応物質の配位子とを、配位子交換反応させる工程と、処理室201内に第2の反応物質を供給し、交換された後の配位子を反応サイトへ配位子交換反応させる工程と、処理室201内にプラズマにより励起された第3の反応物質を供給し、反応サイトへと交換反応が行われなかった配位子を、反応サイトへ配位子交換反応させる工程と、をウエハ200表面に所望の厚さの膜が形成されるまで繰り返す。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に第1の反応物質を供給する第1の供給手段と、
前記処理室内に第2の反応物質を供給する第2の供給手段と、
前記処理室内に第3の反応物質を供給する第3の供給手段と、
前記処理室内を排気する排出手段と、
前記第3の反応物質をプラズマにより励起する励起手段と、
前記第1〜第3の供給手段、前記排出手段および前記励起手段を制御する制御手段と、を備え
前記制御手段の前記第1〜第3の供給手段、前記排出手段および前記励起手段の制御により、
前記処理室内に収容された前記基板に前記第1の反応物質を供給し、前記基板の表面に存在する反応サイトとしての配位子と、前記第1の反応物質の配位子とを、配位子交換反応させる第1の工程と、
前記処理室から余剰な前記第1の反応物質を除去する第2の工程と、
前記基板に前記第2の反応物質を供給し、前記第1の工程により交換された後の配位子を反応サイトへ配位子交換反応させる第3の工程と、
前記処理室から余剰な前記第2の反応物質を除去する第4の工程と、
前記基板にプラズマにより励起された前記第3の反応物質を供給し、前記第3の工程で反応サイトへと交換反応が行われなかった配位子を、反応サイトへ配位子交換反応させる第5の工程と、
を、前記基板表面に所望の厚さの膜が形成されるまで所定回数繰り返すように前記制御手段を構成してなる基板処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/31
, C23C 16/455
, C23C 16/505
H01L21/316 X
, H01L21/318 B
, H01L21/31 C
, C23C16/455
, C23C16/505
4K030AA01
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA04
, 5F045AA08
, 5F045AB31
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AC12
, 5F045BB14
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EE19
, 5F045EH19
, 5F058BC03
, 5F058BC08
, 5F058BD05
, 5F058BD10
, 5F058BF06
, 5F058BF07
, 5F058BF37
, 5F058BF72
, 5F058BF73
, 5F058BH16
