特許

J-GLOBAL ID：200903028410940474

成膜方法

発明者： 吉井 直樹 ,  小島 康彦
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058449
公開番号（公開出願番号）：特開2005-248231
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】ALD法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器内に基板を配置し、金属を含む成膜原料を基板に供給する工程(成膜原料供給工程S1)、成膜原料の供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程(成膜原料供給停止・残留ガス除去工程S2)、還元性ガスを前記基板に供給する工程(還元性ガス供給工程S3)、還元性ガスの供給停止後、前記処理容器内の残留ガスを除去する工程(還元性ガス供給停止・残留ガス除去工程S4)のS1〜S4の工程を繰り返すことで基板上に金属を含む薄膜を形成する際に、S1の工程では、成膜原料の一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属を含む成膜原料と、還元性ガスを基板に交互供給することで前記基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜方法であって、 前記成膜原料の少なくとも一部をプラズマにより気相中において解離または分解させて基板上へ供給することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (23件)：

4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 金属層の形成方法、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305200   出願人：富士通株式会社
• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-225966   出願人：株式会社堀場製作所
• アルミニウムフィルムの化学蒸着法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086795   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭61-084375
  

審査官引用 (4件)

• 金属層の形成方法、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305200   出願人：富士通株式会社
• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-225966   出願人：株式会社堀場製作所
• アルミニウムフィルムの化学蒸着法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086795   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭61-084375