特許
J-GLOBAL ID：200903014639619083

窒化物半導体結晶の製造方法

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
平岡 晋

平岡 晋 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171142
公開番号（公開出願番号）：特開2008-001540
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させてなる窒化物半導体ウェハを2つの部分に切り離して、異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶の製造方法において、異種基板から分離した窒化物半導体結晶層に、格子不整合に起因する欠陥を高密度に含む領域が含まれないようにする【解決手段】1は異種基板、2は異種基板1上に成長したバッファ層、3はバッファ層2上に成長した窒化物半導体結晶層である。窒化物半導体結晶層3は、波長λの光に対する吸収性の異なる下部結晶層31と上部結晶層32とから構成されている。下部結晶層31と上部結晶層32のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを2つの部分に切り離す。欠陥密度の低い上部結晶層32のみを、異種基板1から分離することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
異種基板と、該異種基板上にエピタキシャル成長した窒化物半導体結晶層とを備え、該窒化物半導体結晶層中に波長λの光を吸収しない第1結晶層および波長λの光を吸収する第2結晶層を設けてなる窒化物半導体ウェハを形成する、エピタキシャル成長工程と、 波長λの光を第1結晶層を通して第2結晶層に照射し、第2結晶層の少なくとも一部を分解させることにより、前記窒化物半導体ウェハを第1結晶層と第2結晶層との界面近傍で2つの部分に切り離して、前記異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る分離工程と、 を少なくとも有する窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/302 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/04
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/302 201B ,  H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C30B25/04
Fターム (44件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SC10 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (2件)

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