特許
J-GLOBAL ID：200903014656729623

静電気放電防護用のいろいろな抵抗の軽ドープ拡散領域を有するトランジスタ回路

発明者：
ズィーキァン ウー

ズィーキァン ウー について

, 
デイヴィッド ビー、スコット

デイヴィッド ビー、スコット について


出願人/特許権者：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387479
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231729
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体アクティブ・エリア(78)内にトランジスタ(70)を形成する方法。【解決手段】 この方法は、半導体アクティブ・エリアへの固定した関係においてゲート構造(G2)を形成することにより、第1ゲート構造側壁に隣接する第1ソース/ドレイン領域(R1)および第2ゲート構造側壁に隣接する第2ソース/ドレイン領域(R2)を限定する。この方法はまた、第1ソース/ドレイン領域内に形成されてゲート構造の下に延びる軽ドープ拡散領域(801)を形成し、この軽ドープ拡散領域はゲート構造に平行な方向にいろいろな抵抗を含む。
請求項（抜粋）：
半導体アクティブ・エリア内にトランジスタを形成する方法であって、半導体アクティブ・エリアへの固定した関係においてゲート構造を形成して、第1側壁と第2側壁を有することによって、前記第1側壁に隣接する第1ソース/ドレイン領域と前記第2側壁に隣接する第2ソース/ドレイン領域を限定するステップと、前記第1ソース・ドレイン領域に形成されゲート構造の下に拡張される軽ドープ拡散領域を形成して、前記ゲート構造に平行な方向におけるいろいろな抵抗を含む前記軽ドープ拡散領域を形成するステップを含む前記方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (7件)：
H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 A
Fターム (34件)：
5F038AV06 ,  5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC20 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F048DA23 ,  5F140AA38 ,  5F140AB01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BH12 ,  5F140BH15 ,  5F140BH30 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122702   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-048876   出願人：セイコー電子工業株式会社

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