特許

J-GLOBAL ID：200903014662651903

スピン・トランスファおよび磁気素子を使用するMRAMデバイスを利用する静磁結合磁気素子

発明者： ホワイ、イーミン ,  アルバート、フランク ,  グエン、ポール ピー.
出願人/特許権者： グランディス インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500862
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516360
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

スピン・トランスファ効果および磁気素子を使用している磁気メモリを使用して書き込むことができる磁気素子を提供するための方法およびシステム。磁気素子は、スピン・トンネル接合、分離層およびスピン・バルブからなる。他の実施形態の場合には、スピン・トンネル接合および/またはスピン・バルブをダブルで使用することができる。分離層は、前記スピン・トンネル接合の第1の自由層とスピン・バルブの第2の自由層との間に位置する。分離層は、好適には、その磁化方向に対して反平行に2つの自由層が静磁結合するように構成されていることが好ましい。デュアルスピン・バルブおよびデュアルスピン・トンネル接合を有する他の実施形態の場合には、分離層を省略することができ、反強磁性層により適当な間隔を設けることができる。もう1つの実施形態は、スピン・バルブの横方向の寸法がスピン・トンネル接合より小さくなるように素子を整形するステップを含む。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、 第1の自由層と、バリア層と、第1のピン止め層とを有するスピン・トンネル接合であって、同第1のピン止め層が強磁性層であり、第1のピン止め層の磁化方向を有し、同第1のピン止め層の磁化が第1の方向に固定され、前記第1の自由層が強磁性層であり、第1の自由層の磁化を有し、前記バリア層が絶縁体であり、同バリア層を通してトンネリングを行うことができる厚さを有し、かつ、同バリア層が前記第1のピン止め層と前記第1の自由層との間に存在しているスピン・トンネル接合と、 第2のピン止め層と、非磁性スペーサ層と、第2の自由層とを有するスピン・バルブであって、同第2のピン止め層が強磁性層であり、第2のピン止め層の磁化方向を有し、同第2のピン止め層の磁化方向が第2の方向に固定され、前記第2の自由層が強磁性層であり、第2の自由層の磁化方向を有し、前記非磁性スペーサ層が導電層であり、前記第2の自由層と前記第2のピン止め層との間に存在しているスピン・バルブと、 前記スピン・トンネル接合の前記第1の自由層と前記スピン・バルブの前記第2の自由層との間に存在している分離層であって、前記第1の自由層と前記第2の自由層が静磁結合できるように構成されている分離層と、を備え、 前記磁気素子が、書込み電流が前記磁気素子を流れた場合に、スピン・トランスファにより、前記第2の自由層の磁化方向を変えることができる、ように構成される磁気素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/32

Fターム (5件)：

5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083PR04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-249934   出願人：松下電器産業株式会社