特許
J-GLOBAL ID:200903090371554852
磁気抵抗素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-249934
公開番号(公開出願番号):特開2002-204010
出願日: 2001年08月21日
公開日(公表日): 2002年07月19日
要約:
【要約】【課題】【解決手段】 中間層と、この中間層を挟持する一対の磁性層とを含み、磁性層のうちの自由磁性層または固定磁性層が、少なくとも1層の非磁性体層と、前記非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であり、かつ膜面に垂直に流れる電流が通過する前記中間層の面積として規定される素子面積が1000μm2以下である磁気抵抗素子を提供する。
請求項(抜粋):
中間層と、前記中間層を挟持する一対の磁性層とを含み、前記磁性層の一方が、他方の磁性層よりも外部磁界に対して磁化回転しやすい自由磁性層であり、前記自由磁性層が、少なくとも1層の非磁性体層と、前記非磁性体層を挟持する磁性体層とからなる多層膜であり、かつ膜面に垂直に流れる電流が通過する前記中間層の面積として規定される素子面積が1000μm2以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (7件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01L 27/105
, H01L 43/12
FI (7件):
H01L 43/08 Z
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01L 43/12
, H01L 27/10 447
, G01R 33/06 R
Fターム (20件):
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083GA11
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083PR22
, 5F083PR33
引用特許:
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