半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-136477
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283819
出願日： 2008年05月26日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。【解決手段】第1半導体膜(9)上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極(15)を形成する工程、形成されたプラグ電極(15)の周囲に層間絶縁膜(16,18)を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極(15)の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第2半導体膜を形成する工程、非晶質の第2半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極(15)を触媒として機能させて非晶質の第2半導体膜を結晶化させ結晶化した第2半導体膜(23)とする工程を備える。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

複数の半導体膜が積層された半導体装置の製造方法であって、第1半導体膜上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極を形成する工程と、形成された該プラグ電極の周囲に層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の表面を平滑化して該プラグ電極の頂部を露出させる工程と、該層間絶縁膜および該プラグ電極の頂部上に非晶質の第2半導体膜を形成する工程と、該非晶質の第2半導体膜にエネルギーを供給して露出した該プラグ電極を触媒として機能させて該非晶質の第2半導体膜を結晶化させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 27/00 , H01L 29/06

FI (16件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 627G , H01L29/78 620 , H01L29/78 616V , H01L29/78 613Z , H01L21/20 , H01L21/90 C , H01L21/88 M , H01L21/28 301Z , H01L27/08 102E , H01L27/08 102D , H01L27/08 331E , H01L27/08 102B , H01L27/00 301C , H01L27/00 301R , H01L29/06 601N

Fターム (139件)：

4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB21 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD21 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033JJ00 , 5F033JJ07 , 5F033JJ15 , 5F033JJ16 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033NN03 , 5F033NN19 , 5F033PP01 , 5F033PP07 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033SS04 , 5F033VV15 , 5F048AC01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BD09 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG12 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE31 , 5F110EE36 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK05 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP34 , 5F110PP36 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F152AA07 , 5F152AA08 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC09 , 5F152CD07 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD17 , 5F152CD18 , 5F152CD27 , 5F152CD30 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152CE28 , 5F152CF07 , 5F152CF13 , 5F152CF17 , 5F152CF18 , 5F152FF03 , 5F152FG13

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-308285 出願人：セイコーエプソン株式会社

前のページに戻る