光素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287790
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135561
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】光導波路の端面を被う被膜(パッシベーション膜)の脱落を防止するレーザダイオードの製造方法の提供。【解決手段】レーザダイオードがモノリシックに組み込まれてなる光素子であり、前記レーザダイオードの光導波路の端面が被膜で被われてなる光素子であって、前記被膜が形成される光導波路の端面部分の光素子表面は他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記被膜が形成される光導波路の端面全体の光素子表面部分が他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記光導波路の一端面は低反射率膜で被われ、他端面は高反射率膜で被われている。前記レーザダイオードが形成された光素子の表面部分は前記レーザダイオードの光導波路に沿って帯状に高くなっている。

請求項（抜粋）：

レーザダイオードがモノリシックに組み込まれてなる光素子であり、前記レーザダイオードの光導波路の端面が被膜で被われてなる光素子であって、前記被膜が形成される光導波路の端面部分の光素子表面は他の光素子表面部分よりも一段低くなっていることを特徴とする光素子。

引用特許：

出願人引用 (12件)

半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222495 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-123782
特開平4-262589

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222495 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-123782
特開平4-262589

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