特許
J-GLOBAL ID：200903014722726584
電子放出素子と電子源及びそれを用いた画像形成装置及びそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108739
公開番号（公開出願番号）：特開平10-040807
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 良好な電子放出特性と長寿命化を同時に実現する表面伝導型を例示として電子放出素子の製造方法とそれを用いた電子源及び画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】 電子放出部を有する導電性膜と、この導電性膜と電気的に接続された対向する一対の素子電極とを有する電子放出素子の製造方法において、(a)上記導電性膜を構成する物質の前駆体である有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜を上記素子電極に接続して設ける工程と、(b)上記有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜に上記素子電極を介して電圧を印加しながら、該有機化合物あるいは錯体の分解温度以上に保持し、該有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜を前記電子放出部を有する導電性膜とする工程と、を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
電子放出部を有する導電性膜と、この導電性膜と電気的に接続された対向する一対の素子電極とを有する電子放出素子の製造方法において、(a)上記導電性膜を構成する物質の前駆体である有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜を上記素子電極に接続して設ける工程と、(b)上記有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜に上記素子電極を介して電圧を印加しながら、該有機化合物あるいは錯体の分解温度以上に保持し、該有機金属化合物あるいは錯体よりなる膜を前記電子放出部を有する導電性膜とする工程と、を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 E
, H01J 1/30 E
, H01J 31/12 C
