絶縁構造部上の半導体チャンネル

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重 , 松本晃一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-528137
公開番号（公開出願番号）：特表2007-506290
出願日： 2004年09月23日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

半導体装置基板上に貫通誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層の上部にトレンチ誘電体層を形成するステップと、貫通誘電体層を露出させるため、トレンチ誘電体層を貫通する溝を形成するステップと、基板を露出させるため、前記溝内の貫通誘電体層に貫通孔を形成するステップと、溝内および前記貫通孔内に半導体材料を形成するステップと、を有する方法を示した。装置基板と、該装置基板の表面に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された、装置基板と相間する結晶構造を有する装置基部と、を有する装置を示した。

請求項（抜粋）：

半導体装置基板上に、貫通層を形成するステップと、該貫通誘電体層上に、トレンチ層を形成するステップと、前記貫通層を露出させるため、トレンチ層を貫通する溝を形成するステップと、基板を露出させるため、前記溝内の貫通層に貫通孔を形成するステップと、前記溝内および前記貫通孔内に、半導体材料を形成するステップと、を有する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/76 , H01L 21/762

FI (9件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 626C , H01L29/78 618A , H01L29/78 627A , H01L27/12 E , H01L27/12 R , H01L21/76 E , H01L21/76 D

Fターム (61件)：

5F032AA09 , 5F032AA82 , 5F032AA91 , 5F032CA05 , 5F032CA06 , 5F032CA09 , 5F032CA10 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA13 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110PP01 , 5F110QQ19 , 5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LL18 , 5F152LM02 , 5F152LM04 , 5F152LM05 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152LN14 , 5F152LN21 , 5F152LN27 , 5F152LN32 , 5F152LN34 , 5F152LN35 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ12

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-088658
横方向ソリッドオーバーグロース法を用いる光導電性又は陰極伝導性デバイスの製作
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-229289 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開平4-137723

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