特許

J-GLOBAL ID：200903014743870774

炭化けい素のオーミック電極構造および半導体装置

発明者： 福田 祐介 ,  清水 正章 ,  西川 恒一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274206
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111760
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】SiCに対して電極表面の平坦性を確保し、低い接触抵抗のオーミック電極を形成する。【解決手段】第1導電型のSiC半導体3上に金属のオーミック電極4を設けたSiCのオーミック電極構造において、金属のオーミック電極4側のSiC半導体3の表面は第1導電型の高濃度の表面濃度を有し、SiC半導体3と金属のオーミック電極4の間には第1導電型の高濃度の不純物を含むSi層8が設けられていることを特徴とする炭化けい素のオーミック電極構造である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化けい素上にオーミック用物質を設けた炭化けい素のオーミック電極構造において、前記炭化けい素のオーミック用物質側の表面は第1導電型の不純物であって高濃度の表面濃度を有し、前記炭化けいとオーミック用物質の間には第1導電型の高濃度の不純物を含むシリコン半導体が設けられていることを特徴とする炭化けい素のオーミック電極構造。

IPC (2件)：

H01L21/28 ,  H01L29/861

FI (2件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/91 F

Fターム (10件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB19 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD55 ,  4M104GG02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-366533   出願人：新日本無線株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-263506   出願人：株式会社東芝