特許
J-GLOBAL ID：200903014758466511
半導体チップのための埋め込み型熱導体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005031
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289052
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップ内に熱導体を集積化することにより、チップ全体に渡り熱をより均等に分散し、チップ内のホット領域から熱を逃がし、熱をチップの外部に伝導すること。【解決手段】 半導体チップ構造が、基板と、半導体チップ構造内に埋め込まれ、電気的絶縁を提供する少なくとも1つの熱導体と、少なくとも1つの熱導体に隣接して、構造内に形成される複数の素子とを含み、動作の間に素子内で生成された熱が、少なくとも1つの熱導体を通じて伝達され、素子の動作温度を低減する。この構造は特に、絶縁体上シリコン(SOI)素子において有用である。
請求項（抜粋）：
半導体チップ構造において、基板と、前記構造内に埋め込まれ、電気的絶縁を提供する少なくとも1つの熱導体と、前記少なくとも1つの熱導体に隣接して、前記構造内に形成される複数の素子とを含み、動作の間に前記素子内で生成された熱が、前記少なくとも1つの熱導体を通じて伝達され、前記素子の動作温度を低減する、半導体チップ構造。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 23/36
, H01L 27/12
H01L 27/04 Z
, H01L 27/12 Z
, H01L 23/36 Z
