特許
J-GLOBAL ID：200903014762652940

チップタイプパワーインダクタ

発明者：
崔 明 姫

崔 明 姫 について

, 
洪 淳 奎

洪 淳 奎 について

, 
張 相 恩

張 相 恩 について


出願人/特許権者：
株式会社セラテック

株式会社セラテック について


代理人 (2件)： 笹島 富二雄 ,  西山 春之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-401474
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311944
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 磁気飽和による電流の制限が少ない小型の積層型チップタイプパワーインダクタを提供し、生産性及び経済性の優れたチップタイプパワーインダクタの製造方法を提供しようとする。 【解決手段】 磁性体層を備えて構成され少なくとも一面に電極パターン22を形成した電極層を多層に積層し、前記各電極層の電極パターン22が互いに直列接続されて形成されたコイルを内部に備えた積層体と、該積層体の積層方向の両端面に接触する少なくとも磁性体で構成したカバー層と、を備えてコア磁性体20を構成し、前記コイルへの通電により前記コア磁性体20の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層24を挿入した構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁性体層を備えて構成され少なくとも一面に電極パターンを形成した電極層を多層に積層し、前記各電極層の電極パターンが互いに直列接続されて形成されたコイルを内部に備えた積層体と、 該積層体の積層方向の両端面に接触する少なくとも磁性体で構成したカバー層と、を備えてコア磁性体を構成し、 前記コイルへの通電により前記コア磁性体の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層を挿入したことを特徴とするチップタイプパワーインダクタ。
IPC (3件)：
H01F27/28 ,  H01F27/24 ,  H01F41/04
FI (4件)：
H01F27/28 L ,  H01F41/04 B ,  H01F41/04 C ,  H01F27/24 Z
Fターム (2件)：
5E043AA08 ,  5E062DD04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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