特許
J-GLOBAL ID：200903075935177877

チップインダクタおよびその製造方法

発明者：
坂田 啓二

坂田 啓二 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-073623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267129
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 磁歪の影響が少なく、電気特性が良好で、小型のチップインダクタを得る。【解決手段】 チップインダクタ10は、セラミックからなる基体11を含む。基体11は第1の外装体12を含み、第1の外装体12上に、樹脂層16を挟んで中間体14を積層する。中間体14上に、樹脂層20を挟んで第2の外装体18を積層する。中間体14および第2の外装体18の中央部に、コア22を形成する。コア22を中心として、中間体14中に渦巻状のコイル導体24を形成する。基体11の端部に外部電極30を形成し、コイル導体24に接続する。外装体12,18およびコア22の材料として透磁率の高い材料を用い、中間体14の材料として非磁性体または透磁率の低い材料を用いる。
請求項（抜粋）：
非磁性体または透磁率の低い複数のセラミック層からなる中間体、前記中間体の前記セラミック層に形成されて互いに接続されることによりコイルを形成する渦巻状のコイル導体、前記中間体の両側に形成される空隙部、前記中間体の両側において前記空隙部を挟んで形成される透磁率の高いセラミック層からなる外装体、および前記中間体と一方の前記外装体の内側において渦巻状の前記コイル導体を貫通するように形成される透磁率の高いセラミックからなるコアを含む、チップインダクタ。
IPC (5件)：
H01F 17/00 ,  B28B 11/00 ,  H01F 27/29 ,  H01F 37/00 ,  H01F 41/04
FI (6件)：
H01F 17/00 C ,  H01F 37/00 N ,  H01F 37/00 J ,  H01F 41/04 C ,  B28B 11/00 Z ,  H01F 15/10 C
Fターム (9件)：
4G055AA08 ,  4G055AC09 ,  4G055BA22 ,  5E062DD04 ,  5E070AA01 ,  5E070AB03 ,  5E070BA12 ,  5E070CB01 ,  5E070CB13
引用特許：
審査官引用 (7件)
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