特許
J-GLOBAL ID：200903014798758736

半導体装置

発明者：
本美 雄一郎

本美 雄一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田自動織機

株式会社豊田自動織機 について


代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-313992
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123570
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】電極材を表面まで伸ばし、さらにトレンチ内だけでなく平面部をもつ構造にすることで、空乏層の広がりを安定化させる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1導電型層の表面内に拡散形成される第2導電型層に、アクティブ素子領域とアクティブ素子領域を囲む終端領域を形成し、第2導電型層を貫通し第1導電型層の途中まで達する複数のトレンチを有し、トレンチに絶縁膜を介して電極を埋め込み形成する構造を有する半導体装置において、終端領域に形成されるトレンチである終端トレンチに、終端領域用の電極であるフローティング電極を埋め込み形成するとともに、フローティング電極の上部から半導体装置の外周方向に第2導電型層表面に沿うようにフローティング電極に平面部を有する半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型層の表面内に拡散形成される第2導電型層に、アクティブ素子領域と前記アクティブ素子領域を囲む終端領域が形成され、前記アクティブ素子領域の前記第2導電型層表面に選択的に第1導電型領域が形成され、前記第1導電型領域および前記終端領域の前記第2導電型層表面から前記第2導電型層を貫通し前記第1導電型層の途中まで達するように複数のトレンチが形成され、前記トレンチに絶縁膜を介して電極が埋め込み形成された構造を有する半導体装置において、 前記終端領域内の前記トレンチに埋め込み形成された前記電極であるフローティング電極が、その上部から前記半導体装置の前記アクティブ素子領域と反対の方向に前記第2導電型層表面に沿って延設された平面部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 高耐圧半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094171   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310045   出願人：松下電工株式会社
  • ダイオード及び電力変換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-040918   出願人：株式会社日立製作所

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