特許

J-GLOBAL ID：200903038185124897

ダイオード及び電力変換装置

発明者： 長洲 正浩 ,  森 睦宏 ,  小林 秀男 ,  坂野 順一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040918
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232597
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】ダイオードの臨界di/dtを改善する。【解決手段】p+ 導電型の半導体層11とアノード電極16とが接触していない領域におけるアノード電極の後退長Lを、n- 導電型の半導体層14内における正孔の拡散長よりも長くする。【効果】ターミネーション領域内のキャリア濃度が小さくなるため、リカバリー時にp+ 導電型の半導体層11の端部に局所的な電流集中が起こらない。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層内に設けられる第2導電型の第2半導体層と、第1半導体層に電気的に接続される第1主電極と、第2半導体層の平面方向の端部において、第1半導体層と第2半導体層との接合部よりも内側で第2半導体層と接触する第2主電極と、第2半導体層の平面方向における端部から注入されるキャリアの濃度を低減する手段と、を有することを特徴とするダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H02M 7/48

FI (3件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/06 ,  H02M 7/48 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-250670
  
• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283931   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-214670   出願人：日本インター株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-184085   出願人：三菱電機株式会社