特許
J-GLOBAL ID：200903014819295936

ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法

発明者：
脇屋 和正

脇屋 和正 について

, 
小林 政一

小林 政一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083713
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物(金属デポジション)等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。【解決手段】 (a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)塩基性物質、および(d)水を配合してホトレジスト用剥離液とする。そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、続いてアッシング処理をした後、上記剥離液を用いてホトレジストパターンを剥離し、次いで基板を水でリンス処理する。
請求項（抜粋）：
(a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)塩基性物質、および(d)水を含有してなる、ホトレジスト用剥離液。
IPC (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B
Fターム (5件)：
2H096AA25 ,  2H096HA13 ,  2H096HA14 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM