シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001247
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190807
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】ドリフト層(電圧保持層)10を共通化して逆並列ダイオードを内蔵したシリコンカーバイド静電誘導トランジスタ(SiC-SIT)を実現する。【解決手段】ソース領域11の第1側面の溝19の底面から側面に沿ってゲート領域12を形成し、第1側面(片側)からの空乏層の伸縮のみでチャネル17の幅を制御し、トランジスタ電流Itをオン/オフ制御するスイッチング素子を構成する。一方、第2側面の溝20の底面から側面に沿いソース領域11の表面に亘ってソース電極18を形成し、このソース電極18とドリフト層10との間にショットキー接合21を形成し、このショットキー接合21からドレイン領域15へ、ドリフト層10を共通化して電流Idを流すダイオードを形成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1導電型のドリフト層の一面に形成された第1導電型のソース領域と、このソース領域の側方に形成された第2導電型のゲート領域と、前記ドリフト層の他面に形成された第1導電型のドレイン領域と、このドレイン領域の他面に形成されたドレイン電極とを備え、前記ドレイン領域から前記ソース領域へ縦方向に流れる電流を、前記ゲート領域から前記ソース領域の直下の前記ドリフト層へ伸縮する空乏層によってオン/オフ制御するシリコンカーバイド(SiC)静電誘導トランジスタ(SIT)において、前記ソース領域の第1側面に形成された前記ゲート領域と、このゲート領域に形成されたゲート電極と、前記ソース領域の表面からこのソース領域の第2側面に亘って形成したソース電極と、この第2側面部の前記ソース電極と前記ドリフト層との間に形成されたダイオード接合とを備え、前記ソース電極から前記ドレイン領域へ、前記ドリフト層を共通化して電流を流すダイオードを形成したことを特徴とする環流ダイオード内蔵型のシリコンカーバイド静電誘導トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2件)：

H01L29/80 V , H01L29/48 D

Fターム (14件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 4M104GG18 , 4M104HH17 , 5F102FB01 , 5F102GA14 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR11

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-297026 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

電力用半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-008969 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭55-105360
スイッチング電源用半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-118729 出願人：富士電機株式会社

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