特許
J-GLOBAL ID：200903041023379426

シリコンカーバイドから製造されるモノリシックな縦型接合型電界効果トランジスタおよびショットキーバリアダイオード、および、その製造方法

発明者：
マッツォーラ, マイケル エス.

マッツォーラ, マイケル エス. について

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メレット, ジョセフ エヌ.

メレット, ジョセフ エヌ. について


出願人/特許権者：
セミサウス ラボラトリーズ, インコーポレーテッド

セミサウス ラボラトリーズ, インコーポレーテッド について

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ミシシッピ ステート ユニバーシティー

ミシシッピ ステート ユニバーシティー について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-523591
公開番号（公開出願番号）：特表2008-506274
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。SBDアノード領域におけるSiC表面は、SBDのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。
請求項（抜粋）：
縦型接合型電界効果トランジスタ(JFET)およびショットキーバリアダイオード(SBD)を備えるSiC半導体デバイスであって、該デバイスは、 第一の導電型のSiC半導体基板層と、 該基板層上に配置された該第一の導電型のSiCドリフト層と、 該ドリフト層上に配置された該第一の導電型の複数のSiCソース領域と、 該ドリフト層内に形成された該第一の導電型とは異なる第二の導電型の複数のSiCゲート領域と、 該ドリフト層に隣接するショットキー金属層を含むショットキー接合と、 該ドリフト層と反対側の該基板層に隣接するオーミックコンタクトと、該ソース領域および該ゲート領域と隣接するオーミックコンタクトと を備え、 該ショットキー金属が該ソースオーミックコンタクトと電気的にコンタクトするように、該ショットキー金属層が該ソースオーミックコンタクトにわたって拡がり、 該JFETのドレインは、該SBDのカソードとしても機能し、該JFETのソースは、該SBDのアノードとしても機能する、デバイス。
IPC (8件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (5件)：
H01L27/06 F ,  H01L29/80 E ,  H01L29/48 F ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 C
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD91 ,  4M104FF02 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  5F102FA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR06 ,  5F102GS09 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 米国特許第5,111,253号明細書
  • 米国特許第4,967,243号明細書
  • 米国特許第4,969,027号明細書
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審査官引用 (6件)
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