特許

J-GLOBAL ID：200903014875778788

半導体装置の製造方法及び半導体基板

発明者： 米田 健司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051040
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】 微細化されサーマルバジェットを小さくせざるを得ない製造プロセスにおいて、シリコンウェーハが被る金属汚染を防止するゲッタリングサイトを形成できるようにすること、及び形成されたゲッタリングサイトに金属不純物が確実に捕獲されるようにすることを目的とする。 【解決手段】 シリコンからなる半導体ウェーハに対して最初に行なう熱処理として、第1の熱処理である650°C〜750°Cの温度下で30分〜240分の熱処理を行ない、その後、第2の熱処理である900°C〜1100°Cの温度下で30分〜120分の熱処理を行なう。また、第3の熱処理として、ゲート絶縁膜を形成する前に、昇温速度を8°C/分として窒素雰囲気で1000°Cにまで昇温し、加熱温度を1000°Cとし加熱時間を30分とする熱処理を行なう。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンからなる半導体基板を製造プロセスに受け入れた後、前記半導体基板に対して最初に行なう熱処理として、 650°C〜750°Cの温度下で30分〜240分の第1の熱処理を行なう第1の工程と、 前記第1の工程の後に、900°C〜1100°Cの温度下で30分〜120分の第2の熱処理を行なう第2の工程と備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/322 Y ,  H01L21/324 X ,  H01L29/78 301Y ,  H01L27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CD04 ,  5F140CE03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3011178号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265575   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330652   出願人：日本電気株式会社