特許
J-GLOBAL ID：200903086986396559
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162991
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャルウェーハや無欠陥層のあるウェーハを使用し、デバイスプロセス中に重金属などの不純物をゲッタリングして、pn接合リークを低減し、それに伴いメモリセルの電荷保持時間を長く、固体撮像装置の白傷レベルを低減する。【解決手段】 半導体デバイス製造の最終工程において、デバイスの製造されるウェーハ中の箇所の不純物をゲッタリングすることを目的として、ゲッタリングされる所望の汚染元素の拡散距離が、エピタキシャル層や無欠陥層の厚さ以上になるような時間、新たに400°Cから500°Cの水素熱処理を施す。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス製造の最終工程において、新たに330°Cから800°Cの水素熱処理を施すようにして、前記半導体デバイス製造により製造されるウェーハ中の不純物をゲッタリングするようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
H01L 21/322 Z
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
