透明導電膜

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095960
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259640
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】GaInO3やIn2O3より一段と高い導電性、即ち、より低い抵抗率と優れた光学的特性を有する透明導電膜を提供する。【解決手段】Ga2O3-In2O3なる擬2元系組成において、Ga/(Ga+In)で示されるGa量を15〜49、好ましくは20〜45原子%の範囲にある組成の混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あるいは必要に応じて成型・焼結したものをタ-ゲットに用い、例えば、スパッタ法により、基体としてガラスのようなセラミック質基板あるいはプラスチックのような有機質基板上にGa/(Ga+In)で示されるGa量が15〜49原子%、好ましくは20〜45原子%含有した酸化物膜を形成する。

請求項（抜粋）：

【請求項 1】基体上に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)を含む酸化物膜、即ちGa2O3-In2O3で示される擬2元系においてGa/(Ga+In)で示されるGa量が15〜49原子%、好ましくは20〜45原子%含有する酸化物膜を形成して成ることを特徴とする透明導電膜。【請求項 2】前記請求項1記載の酸化物膜のGaまたはInに対しIV族またはVII族元素を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。【請求項 3】前記請求項2記載のIV族元素がシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、チタニウム(Ti)あるいはジルコニウム(Zr)である請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 4】前記請求項2記載のVII族元素がフッ素(F)であり、その添加範囲は酸素(O)に対し0.1〜20%、好ましくは1〜10%であることを特徴とする請求項1または2記載の透明導電膜。【請求項 5】前記請求項2記載の酸化物膜のGaまたはInに対しイットリウム(Y)を0.1から20原子%、好ましくは1から10原子%の範囲で添加したことを特徴とする請求項1〜3または4記載の透明導電膜。【請求項 6】前記請求項1〜4または5記載の透明導電膜を製造するために使用され、Ga/(Ga+In)で示されるGa量が15〜49原子%、好ましくは20〜45原子%の範囲にあることを特徴とするGa2O3-In2O3系焼結体。【請求項 7】面状低抗体を製造するために使用される前記請求項1〜4または5記載の透明導電膜、あるいは6記載の焼結体。

IPC (2件)：

H01B 5/14 , C01G 15/00

FI (2件)：

H01B 5/14 A , C01G 15/00 Z

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-272612
導電性積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-131800 出願人：出光興産株式会社
ガリウム-インジウム酸化物を含む透明導電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-262995 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

全件表示

前のページに戻る