特許
J-GLOBAL ID：200903014901058420
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058961
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 回折格子構造を変化させるという比較的容易に改善可能な方法により、スペクトル線幅の狭い半導体レーザを提供する。【解決手段】 第2の光導波層14と第2のクラッド層15との界面は、共振器の一方の端部に隣接する第1の領域と、共振器の他方の端部に隣接する第2の領域と、これら第1および第2の領域の間に形成された第3の領域とからなり、回折格子20は、第1および第2の領域に互いに4分の1波長シフトするように形成され、第3の領域における結合定数は、第1および第2の領域における結合定数よりも小さく、第3の領域における光の導波方向の長さは、共振器長の1/4以上である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層の上に形成された第1の光導波層と、この第1の光導波層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された第2の光導波層と、この第2の光導波層の上に形成された第2のクラッド層と、前記第2の光導波層と前記第2のクラッド層との界面に、光の導波方向に沿って形成された回折格子と、出射端面に形成された低反射膜とを少なくとも備えた半導体レーザにおいて、前記第2の光導波層と前記第2のクラッド層との界面は、共振器の一方の端部に隣接する第1の領域と、前記共振器の他方の端部に隣接する第2の領域と、これら第1および第2の領域の間に形成された第3の領域とからなり、前記回折格子は、前記第1および第2の領域に互いに4分の1波長シフトするように形成され、前記第3の領域における結合定数は、前記第1および第2の領域における結合定数よりも小さく、前記第3の領域における前記光の導波方向の長さは、前記共振器長の1/4以上であることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (10件)：
5F073AA07
, 5F073AA21
, 5F073AA45
, 5F073AA63
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073EA29
