半導体レーザ装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254329
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144372
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】高次モードの影響による波長分裂を抑制して、高出力動作の安定化が図られる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAsから成る基板511の上に、n型クラッド層512(AlGaAs,Al組成x=0.07,厚さt=2.86μm)、n型光導波層513(GaAs,t=0.49μm)、n型キャリアブロック層514(AlGaAs,x=0.40,t=0.03μm)、活性層515(In0.18Ga0.82As量子井戸層とGaAsバリア層)、p型キャリアブロック層516(AlGaAs,x=0.40,t=0.03μm)、p型光導波層517(GaAs,t=0.49μm)、p型クラッド層518(AlGaAs,x=0.20,厚さt=1.08μm)、p型キャップ層520(GaAs)が順次形成され、p型キャップ層520の内部に一対のn型電流阻止層519(GaAs)が埋め込まれる。

請求項（抜粋）：

活性層の両面側に、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型の光導波層がそれぞれ設けられ、活性層および各光導波層を挟むように、該光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型のクラッド層がそれぞれ設けられた半導体レーザ装置において、n型およびp型のクラッド層の屈折率のうち小さい方の屈折率をnc1、光導波路における1次導波モードの実効屈折率の実部をRe(ne1)としたとき、次式(A)の条件を満たし、 nc1 ≦ Re(ne1) ...(A)n型およびp型のクラッド層の組成を非対称化することにより、積層方向に高次導波モードが存在しないようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073AA21 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073BA09 , 5F073CA04 , 5F073CB02 , 5F073EA16 , 5F073EA18 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-348537 出願人：三井化学株式会社
半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-005221 出願人：日本電信電話株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-250250 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る