特許
J-GLOBAL ID：200903039640296207
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250250
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087856
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】本発明は、電流ブロック層には電流注入部より屈折率が大きい光閉じ込め層を設け、さらに電流注入部は中心から端に向けて屈折率を大きくさせる構造により、安定な基本横モードで連続発振することができ、非点収差が小さく閾電流密度が低い窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層103、n-GaN導波層104の上部に、ストライプ中心部より周辺部の方が屈折率が大きい量子井戸構造活性層107、p-GaN導波層108、p-AlGaNクラッド層109が順次形成され、ストライプ両側には屈折率の大きいp-In0.1 Ga0.9 N電流ブロック層105とn-In0.1 Ga0.9 N電流ブロック層106が形成され、さらに全面にp-Al0.15Ga0.85Nクラッド層110が形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体(Gax Iny Alz B1-x-y-z N:0≦x、y、z、x+y+z≦1)からなり、活性層を導電型の異なる半導体層で挾んだ半導体レーザにおいて、前記活性層にキャリアを注入するためのストライプ状の電流注入部が形成され、該電流注入部の両側には少なくとも1層以上の電流ブロック層が形成されており、前記電流注入部は等価屈折率が異なる構成からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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