特許

J-GLOBAL ID：200903097451827676

半導体レーザ素子

発明者： 内藤 由美 ,  大久保 敦 ,  藤本 毅
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190127
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInP系可視光半導体レーザの高出力化、高効率化を図ることができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 活性層14の両側に光導波層12、16を設け、該光導波層12、16の両外側に光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するクラッド層11、17を設け、活性層14に近接して、活性層、光導波層およびクラッド層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層13、15を設けた半導体レーザにおいて、活性層14が(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>Pで形成され、キャリアブロック層13、15が(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>y2</SB>In<SB>1-y2</SB>Pで形成され、組成比x1、y1、x2、y2に関して、x1<x2、0.2<y1<0.8、0.2<y2<0.8の関係式が成立する。

請求項（抜粋）：

活性層の両側に光導波層を設け、該光導波層の両外側に、光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するクラッド層を設け、前記活性層に近接して、活性層、光導波層およびクラッド層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層を設けた半導体レーザにおいて、前記活性層が(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>Pで形成され、前記キャリアブロック層が(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>y2</SB>In<SB>1-y2</SB>Pで形成され、組成比x1、y1、x2、y2に関して、x1<x20.2<y1<0.80.2<y2<0.8の関係式が成立することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067114   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037986   出願人：三井石油化学工業株式会社