特許
J-GLOBAL ID:200903014928787903

中空封着パッケージおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-091338
公開番号(公開出願番号):特開2003-152131
出願日: 2002年03月28日
公開日(公表日): 2003年05月23日
要約:
【要約】【課題】 容易かつ安価に製造することが可能で、長期にわたり信頼性を維持できる電磁シールド効果を備えた中空封着パッケージを提供する。また、シリコン製の制御素子を同時実装しても高信頼性が保たれる電磁シールド効果を備えた中空封着パッケージを提供する。【解決手段】 キャビティ70内に位置する高周波半導体素子10と、高周波半導体素子10のパッケージ外部への電気的引出しを行なう高周波回路配線と、キャビティ70を取り囲むフレーム50およびキャップ60とを備えており、フレーム50とキャップ60とが異方性導電フィルム(ACF)30によって接合されている。
請求項(抜粋):
気密空間内に位置する高周波半導体素子と、前記高周波半導体素子の外部への電気的引出しを行なう高周波回路配線と、前記気密空間を取り囲むフレームおよびキャップとを備えた中空封着パッケージであって、前記フレームと前記キャップとが異方性導電フィルムによって接合されていることを特徴とする、中空封着パッケージ。
IPC (3件):
H01L 23/10 ,  H01L 23/00 ,  H01L 23/02
FI (3件):
H01L 23/10 Z ,  H01L 23/00 C ,  H01L 23/02 H
引用特許:
審査官引用 (3件)

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