特許

J-GLOBAL ID：200903014934714799

超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法

発明者： クリスチヤン・ベロー ,  デイデイエ・シヤンボネ
出願人/特許権者： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275734
公開番号（公開出願番号）：特開平8-231219
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1996年09月10日
要約：

【要約】【課題】超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法を提供する。【解決手段】ドーピング物質の比率の関数である結晶格子定数を有するという特性をもつ中間材料を基板上にデポジットする操作を実施し、このデポジション操作を、前記中間材料の格子定数が基板の格子定数と同じになるか又はできるだけ類似するようなドーピング物質濃度で開始し、デポジション操作の間にドーピング物質の比率を、中間材料の格子定数が超伝導材料の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するような比率まで継続的に変化させる。

請求項（抜粋）：

超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法であって、ドーピング物質の比率に相関する結晶格子定数を有するという特性をもつ中間材料を基板上にデポジットする操作を実施し、該デポジション操作開始時のドーピング物質濃度を、前記中間材料の格子定数が基板の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するような濃度とし、デポジション操作の間に中間材料の格子定数が超伝導材料の格子定数と同じになるか又はできるだけ近似するまでドーピング物質の比率を継続的に変化させる、超伝導材料の薄層をデポジットするための基板の製造方法。

IPC (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 23/02 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 23/02 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-144993
  
• 特開平4-193713
  
• 酸化物超電導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148843   出願人：旭硝子株式会社
• 高温超伝導薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-050008   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-144993
  
• 特開平4-193713