特許
J-GLOBAL ID：200903014938632533

化合物半導体薄膜結晶

発明者：
小林 隆

小林 隆 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326631
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134524
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 デバイス特性のばらつき、歩留まり低下の原因となるInGaP層のorder/disorder構造の影響を無視でき、常に一定のバンドギャップの値を有するInGaP層を化合物半導体薄膜結晶の構成要素とすること。【解決手段】 半絶縁性のGaAs基板101上に高濃度n型不純物であるシリコン(Si)を添加したn+GaAs結晶からなるサブコレクタ層102と低濃度n型不純物(Si)を添加したn-GaAs結晶からなるコレクタ層103と高濃度p型不純物カーボン(C)を添加したp+GaAs結晶からなるベース層104を成長させた後、Sbが5×1018atoms/cm3 濃度含み、かつ低濃度n型不純物(Si)を含んだSb添加InGaPからなるエミッタ層105と高濃度n型不純物(Si)を添加したn+GaAs結晶からなるエミッタキャップ層106からなる化合物半導体薄膜結晶である。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に積層されたInGaP混晶を含む多層構造の化合物半導体薄膜結晶において、少なくとも一層以上の前記InGaP混晶層中に、原子濃度で1017atoms/cm3 以上の濃度範囲のアンチモン(Sb)が含まれていることを特徴とする化合物半導体薄膜結晶。
IPC (8件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (5件)：
C30B 29/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077BE42 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  5F003AZ07 ,  5F003AZ09 ,  5F003BB04 ,  5F003BE01 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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