特許

J-GLOBAL ID：200903014965682615

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： ハエ-チャン ヤン
出願人/特許権者： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061274
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341023
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 オン/ オフ電流比を増加させ、オフセット領域及びソース/ ドレイン領域を自己整合により簡単に形成し、オン/ オフ電流比を増加して、工程を簡単化し得る薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】 基板30と、該基板30の上面に形成された活性層31と、該活性層31の上面に形成された層間膜32と、該層間膜32及び該層間膜32に隣接した前記活性層31上に形成されたゲート絶縁膜33と、該ゲート絶縁膜33の上面に形成されたゲート電極34と、該ゲート電極34の両側の前記活性層31内に形成されたソース領域31a 及びドレイン領域31b と、を備えた薄膜トランジスタを構成する。

請求項（抜粋）：

基板(30)と、該基板(30)の上面に形成された活性層(31)と、該活性層(31)の上面に形成された層間膜(32)と、該層間膜(32)及び該層間膜(32)に隣接した前記活性層(31)上に形成されたゲート絶縁膜(33)と、該ゲート絶縁膜(33)の上面に形成されたゲート電極(34)と、該ゲート電極(34)の両側の前記活性層(31)内に形成されたソース領域( 31a)及びドレイン領域(31b )と、を備えて構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215699   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212086   出願人：セイコーエプソン株式会社