特許
J-GLOBAL ID:200903014973857904

液晶素子の製造法及び液晶素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西山 恵三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-290965
公開番号(公開出願番号):特開2001-133768
出願日: 1996年04月25日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 液晶素子において、基板間のギャップを均一化し、遮光性を高め、表示領域外での膜剥れを防止する。【解決手段】 少なくとも一方の基板が、有効光学変調領域を介して互いに対向する端辺に第一及び第二の周辺領域を有し、該基板において電極は、実質的に帯状のラインであって、該基板の、有効光学変調領域と第一の周辺領域の境界部近傍から、有効光学変調領域及び第二の周辺領域を経て、該第二の周辺領域の外部まで延設されて駆動部に接続される領域を備えた駆動ラインと、第一の周辺領域において、前記駆動ラインとは離間されたダミーパターンとを有する液晶素子
請求項(抜粋):
夫々電極パターンを備えた一対の基板間に液晶を挟持し、所定面積の有効光学変調領域及び該領域に接する周辺領域を有する液晶素子の製造方法であって、前記基板上に所定の材料からなる層を形成する工程と、前記層全面に前記電極材料からなる膜を形成した後、有効光学変調領域が予定される部分、及び周辺領域が予定される部分の両方に亘って、フォトリソグラフィ及びエッチング処理を施し、当該両部分に電極パターンを形成する工程を具備することを特徴とする、液晶素子の製造方法。
IPC (3件):
G02F 1/1335 505 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1345
FI (3件):
G02F 1/1335 505 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1345
引用特許:
審査官引用 (8件)
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