特許
J-GLOBAL ID：200903015013626688
誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189886
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタと誘電体キャパシタとを縦方向に並べて配置し、誘電体キャパシタの下部電極をSiまたはWからなるプラグによりトランジスタの拡散層と接続する場合、誘電体キャパシタの誘電体膜の材料として酸化性雰囲気中での高温の熱処理が必要なSBTなどのBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体を用いることができる誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体膜としてSBT膜などのBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を用いる誘電体キャパシタの下部電極を、組成式Pt<SB>1-x-y-z </SB>Ir<SB>y </SB>Rh<SB>z </SB>Ru<SB>x </SB>で表され、その組成範囲が0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、0.3≦x+y+z≦1である材料、例えばPt<SB>1-x </SB>Ru<SB>x </SB>(ただし、0.3≦x≦1)で形成する。
請求項（抜粋）：
組成式Pt<SB>1-x-y-z </SB>Ir<SB>y </SB>Rh<SB>z </SB>Ru<SB>x </SB>で表され、その組成範囲が0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、0.3≦x+y+z≦1である材料からなる下部電極と、上記下部電極上のBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体からなる強誘電体膜と、上記強誘電体膜上の上部電極とを有することを特徴とする誘電体キャパシタ。
IPC (10件)：
H01L 27/10 451
, C22C 5/04
, C30B 29/30
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, C22C 5/04
, C30B 29/30 B
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
