特許
J-GLOBAL ID：200903015023372889
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024949
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223563
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 TiCl4とNH3を用いたTiN-LPCVD方法において、TiN膜中からのClの脱離を行う。【解決手段】 TiCl4とNH3を用いWTiN膜を成膜する際に、TiCl4とNH3を用いたLPCVD法によりTiN膜を成膜する工程と、少なくともB2H6あるいはPH3を含むガス雰囲気中でアニールする工程とを繰り返すことにより、残留Clが少なくステップカバレッジの優れたTiNバリヤメタル層を形成する。
請求項（抜粋）：
TiCl4とNH3を用いて、TiN膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、TiN膜を成膜させた後、少なくともB2H6あるいはPH3を含むガス雰囲気中でアニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 16/34
, H01L 21/324
, H01L 21/768
H01L 21/285 C
, C23C 16/34
, H01L 21/324 P
, H01L 21/90 C
