特許
J-GLOBAL ID：200903015025507471
カーボンナノチューブのマトリックスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-198687
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031271
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】本発明は、カーボンナノチューブのマトリックスの成長方法を提供できる。【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブのマトリックスの成長方法は、マスクを有する基材を準備する段階と、前記マスクの一部を遮るように前記基材の上方に触媒スパッタ装置を設置し、前記触媒スパッタ装置から飛び出した触媒が前記基材に堆積されて台形の触媒膜が形成される段階と、前記マスクを除去して、前記触媒膜の最良の成長区域を測定する段階と、前記触媒膜が形成された前記基材に焼鈍しをする段階と、炭素を含むガスを導入し、前記最良の成長区域に離れて異なる方向に向けて湾曲するようにカーボンナノチューブのマトリックスを前記触媒膜に成長させる段階と、を含む。本発明によれば、製造の工程を簡単にし、カーボンナノチューブのマトリックスの構成はフィールドエミッタ、電子真空装置などに利用することができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
マスクを有する基材を準備する段階と、
前記マスクの一部を遮るように前記基材の上方に触媒スパッタ装置を設置し、前記触媒スパッタ装置から飛び出した触媒が前記基材に堆積されて触媒膜が形成される段階と、
前記マスクを除去して、前記触媒膜の最良の成長区域を測定する段階と、
前記触媒膜が形成された前記基材に焼鈍しをする段階と、
炭素を含むガスを導入し、前記最良の成長区域から離れて異なる方向に向けて湾曲するようにカーボンナノチューブのマトリックスを前記触媒膜に成長させる段階と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブのマトリックスの成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, C23C14/34 N
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146BA12
, 4G146BA38
, 4G146BA48
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC42
, 4G146BC48
, 4K029AA06
, 4K029BA06
, 4K029BA09
, 4K029BA12
, 4K029BB03
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029HA01
