特許
J-GLOBAL ID：200903015033091411

パターン形成方法

発明者：
藤本 匡志

藤本 匡志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077303
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジストにおける孤立パターンを高精度に形成することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 短辺が0.3μm以下のレチクルRの孤立パターン204をウェハWの表面に形成されたフォトレジストに多重焦点露光法により露光して孤立パターン206を形成する方法において、フォトレジストにネガ型フォトレジストNPRを用いる。孤立パターンを多重焦点露光法により行う場合においても、フォトレジストとしてネガ型フォトレジストを使用することで、レチクルRの孤立パターン204は光透過性であり、かつその周囲は光不透過領域とした構成となるため、孤立パターン204の周囲からの光が孤立パターンに対応するフォトレジストNPRの周囲領域を露光することがなく、高い光強度が得られる多重焦点露光法を採用した場合でもフォトレジストの孤立パターン206を高精度に形成できる。
請求項（抜粋）：
短辺が0.3μm以下のレチクル上の孤立パターンを、ウェハ表面に形成されたフォトレジストに多重焦点露光法により露光して前記フォトレジストに前記孤立パターンに対応するパターンを形成する方法において、前記フォトレジストにネガ型フォトレジストを用いることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/30 514 A ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (7件)：
2H025AA02 ,  2H025AD01 ,  2H025FA04 ,  5F040FC00 ,  5F046AA13 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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