パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053290
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222513
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】サイドローブの転写を防止し、かつ焦点深度をより広くすることが可能なパターン形成方法の提供。【構成】半導体基板3にHMDS処理を行い(a)、感光性樹脂1をスピンコート法により均一に塗布し(b)、熱処理(c)した後、この感光性樹脂1表面をアルカリ現像液に一定時間接触させ(d)、純粋でリンスする(e)。このアルカリ表面処理(d)により感光性樹脂1表面に溶解速度の異常に遅い難溶化層2が形成されるためサイドローブの転写を防止することができ、よって焦点深度をより広くすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

フォトマスクを介して感光性樹脂の塗布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により前記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成するパターン形成方法であって、前記露光前に前記感光性樹脂の表面に難溶化処理を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/38 501

FI (4件)：

H01L 21/30 565 , G03F 1/08 A , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 569 E

引用特許：

審査官引用 (8件)

光露光用マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000176 出願人：シャープ株式会社
特開平4-062827
特開平3-012912

全件表示

前のページに戻る