半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074789
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345428
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】デジタル回路、アナログ回路混載半導体装置において、デジタル回路からアナログ回路へのノイズの進入を抑制できる半導体装置構造を提供する。【解決手段】半導体基板10の表面層にそれぞれ独立に形成された第1ウェル20と第2ウェル40を備え、第1ウェル内の表面層にデジタル回路30を形成し、第2ウェル内の表面層にアナログ回路60を形成した構成を有し、少なくとも半導体基板として第1ウェルの1000倍以上の抵抗率を有する高抵抗な基板を用いる。

請求項（抜粋）：

デジタル回路とアナログ回路を混載する半導体装置において、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面層にそれぞれ独立に形成された、第2導電型の第1ウェル及び第2導電型の第2ウェルと、前記第1ウェル内の表面層に形成されたデジタル回路と、前記第2ウェル内の表面層に形成されたアナログ回路とを有し、前記半導体基板が、少なくとも前記第1ウェルの1000倍以上の比抵抗を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , C30B 29/06 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08

FI (7件)：

C30B 29/06 A , H01L 27/08 331 C , H01L 27/08 331 B , H01L 27/04 H , H01L 27/04 L , H01L 27/06 101 D , H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (19件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224360 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
ディジタル/アナログ混載半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-197741 出願人：三菱電機株式会社
集積回路の雑音低減回路および雑音低減法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219957 出願人：株式会社日立製作所

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