特許
J-GLOBAL ID：200903015076706606
エッチング電極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085538
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288254
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】基板の汚染のおそれがなく、スループットを落とさない静電吸着力の影響を回避できるエッチング電極を提供すること【構成】真空処理室6内に設けたエッチング電極1上の誘電体製の保持台3に基板4を載せ、該真空処理室内でμ波或いは高周波によるプラズマを発生させると共に該エッチング電極を高周波バイアスして該基板をエッチングする装置のエッチング電極に於いて、該保持台の表面に、プラズマが侵入しない程度の高さ位置に該基板を支持する突起5を少なくとも3個形成した【効果】基板が汚染されず、静電吸着力の影響を受けずに基板を保持台から取り外せるので基板を損傷する不都合もなく、スループットが低下することもないので生産性も良好になる
請求項（抜粋）：
真空処理室内に設けたエッチング電極上の誘電体製の保持台に基板を載せ、該真空処理室内でμ波或いは高周波によるプラズマを発生させると共に該エッチング電極を高周波バイアスして該基板をエッチングする装置のエッチング電極に於いて、該保持台の表面に、プラズマが侵入しない程度の高さ位置に該基板を支持する突起を少なくとも3個形成したことを特徴とするエッチング電極。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
, H05H 1/46
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
, H01L 21/68 R
, H05H 1/46 M
