半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317921
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181107
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】プラズマエッチングにおけるチャージアップダメージを防止する。【構成】平行平板型反応性イオンエッチング装置で、下部電極11の周辺に、セラミック等からなる周辺リング15を設置している。ウエハー13はこの周辺リング15上に設置し、ウエハー13と下部電極11は空間18を介して平行に設置するように構成されている。このとき、ウエハー13と下部電極11との間隔Dを増加させることによってウエハー13に印加する電圧を低減できる。また、プラズマ17中で発生する直流電圧を下部電極11とウエハー13との間の空間18の静電容量と、ブロッキングコンデンサ16とウエハー13とに分散させることにより、チャージアップによる半導体装置の劣化や破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

高周波電力が供給される電極によりチャンバ内の反応ガス中でウエハーのエッチングを行うようにした半導体製造装置において、前記高周波電力を供給する電極と平行にかつ所定間隔の空間を介してウエハーを配置するように構成されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01J 37/07 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/265 N

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-097869
熱伝達方法および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-192192 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭61-267326

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