特許

J-GLOBAL ID：200903015080667100

半導体ウエーハの分割方法および分割装置

発明者： 永井 祐介
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 小野 尚純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178182
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022936
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】半導体ウエーハの表面に形成されている回路を熱の影響で損傷することなく、また、ボンディングパッド等にデブリを付着されることなくストリート沿って分割することができるレーザービームを用いた半導体ウエーハの分割方法および分割装置をを提供する。【解決手段】表面が格子状に配列されたストリートによって区画された複数の領域に回路が形成されている半導体ウエーハをストリートに沿って分割する半導体ウエーハの分割方法であって、半導体ウエーハの裏面から該ストリートを検出するストリート検出工程と、該ストリート検出工程によって検出されたストリートに沿って半導体ウエーハの裏面からレーザービームを照射し、ストリートに沿って切断する切断工程とを含む。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

表面が格子状に配列されたストリートによって区画された複数の領域に回路が形成されている半導体ウエーハを該ストリートに沿って分割する半導体ウエーハの分割方法であって、 該半導体ウエーハの裏面から該ストリートを検出するストリート検出工程と、 該ストリート検出工程によって検出された該ストリートに沿って該半導体ウエーハの裏面からレーザービームを照射し、該ストリートに沿って切断する切断工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体ウエーハの分割方法。

IPC (2件)：

H01L21/301 ,  B23K26/00

FI (3件)：

H01L21/78 B ,  B23K26/00 320E ,  H01L21/78 C

Fターム (5件)：

4E068AE00 ,  4E068CA10 ,  4E068CB09 ,  4E068CC01 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 精密切削装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-169792   出願人：株式会社ディスコ
• 特開昭53-114347
  
• エキシマレーザ装置及びシリコン切断装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-291438   出願人：株式会社小松製作所, 大見忠弘
• 特開昭53-114347