特許
J-GLOBAL ID：200903093876782107
エキシマレーザ装置及びシリコン切断装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松澤 統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291438
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100825
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 シリコンを狭い切断幅で切断可能なエキシマレーザ装置、及びこのエキシマレーザ装置を用いたシリコン切断装置を提供する。【解決手段】 エキシマレーザ装置は、マイクロ波(30)を照射してレーザ媒質を励起するマイクロ波発生器(12)と、レーザ媒質の前後にそれぞれ配置された共振器(6,8)と、共振器(6,8)のいずれか一方とレーザ媒質との間に配置され、レーザ光(11A)をパルス発振させるQスイッチ(28)と、レーザ光(11A)のパルス幅を圧縮するパルス圧縮器(31)と、パルス幅を圧縮されたレーザ光(11B)を集光する集光レンズ(24)とを備えている。
請求項（抜粋）：
マイクロ波(30)を照射してレーザ媒質を励起するマイクロ波発生器(12)と、レーザ媒質の前後にそれぞれ配置された共振器(6,8)と、共振器(6,8)のいずれか一方とレーザ媒質との間に配置され、レーザ光(11A)をパルス発振させるQスイッチ(28)とを備えたことを特徴とするエキシマレーザ装置。
IPC (6件)：
H01S 3/225
, B23K 26/00 320
, H01L 21/304 611
, H01L 21/301
, H01S 3/09
, H01S 3/11
B23K 26/00 320 E
, H01L 21/304 611 Z
, H01S 3/11
, H01S 3/223 E
, H01L 21/78 B
, H01S 3/09 Z
4E068AE00
, 4E068CD01
, 4E068CK01
, 4E068DA10
, 4E068DB12
, 5F071AA06
, 5F071EE04
, 5F071JJ02
, 5F072AA06
, 5F072JJ02
, 5F072JJ07
, 5F072KK05
, 5F072PP05
, 5F072SS08
, 5F072TT22
, 5F072YY08
