特許
J-GLOBAL ID：200903015087549014
半導体光変調器、それを用いたマッハツェンダ型光変調器、及び半導体光変調器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377792
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177369
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 素子からの高周波電気信号の反射を抑えて、かつ、駆動電圧を小さくすることを可能にする半導体光変調器、それを用いたマッハツェンダ型光変調器、及び、該半導体光変調器を製造する製造方法を提供する。【解決手段】 所定間隔毎に絶縁材料6が形成されることで、微小光変調器10Aとギャップ領域10Bとが交互に形成された導電性基板2上に、微小光変調器10A及びギャップ領域10Bと交互に交差するように光導波路コア層3を形成する。また、微小光変調器10Aにおける光導波路コア層3に導電性半導体5を介して金属電極(シグナル)8bを接続し、導電性基板2を介して金属電極(グランド)9を接続する。更に、各微小光変調器10Aにおける金属電極(シグナル)8bを金属配線8aにより連結する。光導波路コア層3とシグナル-グランド両金属電極(8b,9)との間は導電性の半導体材料で形成する。これに対し、ギャップ領域は光導波路コア層3が絶縁性の半導体材料で挟まれる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上に光軸に対応して形成された光導波路と、前記半導体基板上に形成された少なくとも2種類の光変調器とを有し、少なくとも2種類の前記光変調器を光導波路上に複数配列させたことを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/025
, H01S 5/026 616
G02F 1/025
, H01S 5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079BA03
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079GA01
, 2H079HA12
, 2H079KA14
, 2H079KA18
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073EA12
