特許
J-GLOBAL ID:200903015127043232
エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-129305
公開番号(公開出願番号):特開2000-319100
出願日: 1999年05月10日
公開日(公表日): 2000年11月21日
要約:
【要約】【課題】 そりが小さくて、一段と高光出力のLEDを製造することができるエピタキシャルウエハを提供すること。【解決手段】 GaP単結晶基板上に、該基板組成とは組成が異なるエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハにおいて、前記エピタキシャルウエハの最大径D(mm)とそりW(μm)が以下の関係式(1):【数1】を満たすことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
請求項(抜粋):
GaP単結晶基板上に、該基板組成とは組成が異なるエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハにおいて、前記エピタキシャルウエハの最大径D(mm)とそりW(μm)が以下の関係式(1):【数1】を満たすことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
IPC (4件):
C30B 29/44
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00
FI (4件):
C30B 29/44
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 B
Fターム (42件):
4G077AA03
, 4G077BE41
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077DB06
, 4G077EB01
, 4G077EB04
, 4G077ED06
, 4G077EH01
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 5F041AA40
, 5F041CA23
, 5F041CA37
, 5F041CA38
, 5F041CA48
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA55
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA72
, 5F045AB11
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC09
, 5F045AC13
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045BB11
, 5F045CA10
, 5F045DA52
, 5F045DA58
, 5F045DA59
, 5F045DP28
, 5F045DQ08
, 5F045EE12
, 5F045EE17
, 5F052KA05
引用特許: