特許
J-GLOBAL ID：200903015159279947
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244714
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195385
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング方法において、垂直なエッチング形状の形成と、孤立ラインパターンと内部ラインパターンとの間の寸法差の縮小を実現する。【解決手段】 内部ラインパターンのライン幅が孤立ラインパターンのライン幅よりも細くなり、且つラインパターンの幅がレジストパターンの幅よりも太くなる場合に、真空チャンバー内に導入する原料ガスのガス圧力、真空チャンバーから排出するガスの排出量、高周波電力の周波数、高周波電力の電力、原料ガスに占める側壁保護用ガスの割合及び試料台の温度からなるパラメーター群のうちの少なくとも1つのパラメーターを変化させて、ラインパターンに対するエッチング量を増加させると共に内部ラインに対するエッチング量を孤立ラインパターンに対するエッチング量よりも相対的に減少させる。
請求項（抜粋）：
下部に試料台を有する真空チャンバー内に、前記試料台の上に載置され且つ表面にレジストパターンが形成されている被エッチング試料をエッチングするエッチング用ガスと前記被エッチング試料がエッチングされることにより形成されるラインパターンの側壁を保護する側壁保護用ラジカルを生成する側壁保護用ガスとからなる原料ガスを導入して該原料ガスよりなるイオンを発生させると共に、前記試料台に高周波電力を印加して自己DCバイアスを形成することにより前記イオンを前記試料台に誘導し、これにより、前記被エッチング試料に対してエッチングを行なうドライエッチング方法であって、互いに接近して形成される複数の前記ラインパターンよりなるラインパターン群における内側に位置する前記ラインパターンよりなる第1のラインパターンのライン幅が、前記ラインパターン群における最も外側に位置する前記ラインパターン又は前記ラインパターン群から孤立して形成される前記ラインパターンよりなる第2のラインパターンのライン幅よりも細くなり、且つ前記第1及び第2のラインパターンのライン幅が前記レジストパターンのライン幅よりも太くなる場合に、前記第1及び第2のラインパターンの側壁に対するエッチング量が増加すると共に前記第1のラインパターンの側壁に対するエッチング量が前記第2のラインパターンの側壁に対するエッチング量よりも相対的に減少するように、前記真空チャンバー内に導入する原料ガスのガス圧力、前記真空チャンバーから排出するガスの排出量、前記高周波電力の周波数、前記高周波電力の電力、前記原料ガスに占める前記側壁保護用ガスの割合及び前記試料台の温度からなるパラメーター群のうちの少なくとも1つのパラメーターを変化させるパラメーター制御工程を備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, H01L 21/302 C
