特許
J-GLOBAL ID:200903015180674805
半導体レーザ装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-260161
公開番号(公開出願番号):特開平11-103120
出願日: 1997年09月25日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、特に高周波駆動が可能で、しかも放熱性に優れた半導体レーザ装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体レーザは、金属製のヒートシンク8と、ヒートシンク8上に搭載される導電性のサブマウント11と、サブマウントにPNジャンクションの一方の導電型電極が電気的に接続するように搭載された半導体レーザ素子10と、サブマウント11近傍に配置された複数のリードピン3,4,5を有する半導体レーザ装置において、ヒートシンク8とサブマウント11との間に絶縁体9が設けられるとともに、リードピン3と半導体レーザ素子10の他方導電型電極及び、リードピン5とサブマント11とが電気的に接続されているされていることを特徴とするものである。本構成とすることで、サブマウントの容量とパッケージのインダクタンスを電気的に浮かすことがかのうとなり、高周波駆動に対する応答性が確保できる。
請求項(抜粋):
金属製のヒートシンクと、前記ヒートシンク上に搭載される導電性のサブマウントと、前記サブマウントにPNジャンクションの一方の導電型電極が電気的に接続するように搭載された半導体レーザ素子と、前記サブマウント近傍に配置された複数のリードピンを有する半導体レーザ装置において、前記ヒートシンクと前記サブマウントとの間に絶縁体が設けられるとともに、前記リードピンの一方のリードピンと前記半導体レーザ素子の他方導電型電極及び、前記リードピンの他方のリードピンと前記サブマントとが電気的に接続されているされていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許:
審査官引用 (12件)
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-201337
出願人:日本電気株式会社
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半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-318359
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-296043
出願人:ローム株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-067339
出願人:日本ビクター株式会社
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特開昭63-318193
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半導体レーザ装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-222782
出願人:ローム株式会社
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特開平2-186648
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特開昭63-318193
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特開昭58-087892
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特開平2-186648
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特開昭63-318193
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特開昭58-087892
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