特許
J-GLOBAL ID：200903015190029428
半導体基板上の絶縁膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹内 澄夫
, 堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011832
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228581
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】低比誘電率及び優れた膜質を有する、改良された絶縁膜を形成するための方法を与える。【解決手段】絶縁膜は、ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化し、ソースガス並びに不活性ガス及び酸化ガスのような添加ガスから成る反応ガスをプラズマCVD装置の反応空間へ導入し、-50°C〜100°Cの温度でプラズマ重合反応によりシロキサン重合体膜を蒸着することによって、半導体基板上に形成される。反応空間内での反応ガスの滞留時間は、2.5のように低い比誘電率を有するシロキサン重合体膜を形成するような方法で反応ガスの総流量を減少させることにより延長される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマ反応により半導体基板上に絶縁膜を形成する方法であって、
ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化する工程と、
半導体基板が配置されるところのプラズマCVD処理用反応空間内にソースガスを導入する工程と、
キャリアガス、酸化ガス及びプラズマ安定化ガスから成るグループから選択される添加ガスを任意に導入する工程であって、前記ソースガス及び前記添加ガスが反応ガスを構成するところの工程と、
反応空間内で約-50°Cから約100°Cの温度でプラズマ重合反応を活性化させることにより、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程であって、プラズマ重合反応は反応空間内の反応ガスの滞留時間Rtを延ばすよう反応ガスの流量を制御しながら活性化され、100msec≦Rtであり、
Rt[s]=9.42×107(Pr・Ts/Ps・Tr)rw2d/F
ここで、
Pr:反応空間圧力(Pa)
Ps:標準大気圧(Pa)
Tr:反応平均温度(K)
Ts:標準温度(K)
rw:シリコン基板の半径(m)
d:シリコン基板と上部電極との間の間隔(m)
F:反応ガスの総流量(sccm)
であるところの工程と、
から成る方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/316 X
, H01L21/316 P
, H01L21/90 P
5F033QQ74
, 5F033RR01
, 5F033RR23
, 5F033SS03
, 5F033SS15
, 5F033WW00
, 5F033WW03
, 5F033WW09
, 5F033XX12
, 5F033XX24
, 5F058AA08
, 5F058AC03
, 5F058AC10
, 5F058AF02
, 5F058AG01
, 5F058AH02
