特許
J-GLOBAL ID：200903015195417353
半導体発光装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337192
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181392
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 基板とこれの上に形成する半導体層との劈開面が一致する劈開面を有することのない場合において、半導体層において共振器端面としてすぐれた端面を確実かつ容易に形成することができるようにする。【解決手段】 {11-20}面(a面)を主面とする基板1上に、少なくとも第1のクラッド層6と、発光層7と、第2のクラッド層8とを含む積層構造の半導体層2を形成する工程と、加熱下において、半導体層2と基板1とを一体に破断して上記基板に、{1-102}面(r面)で劈開された面による対の端面を形成するとともに、半導体層2に基板1の上記対の端面に沿う対の端面3を形成する破断工程とを採って目的とする半導体発光装置を構成する。
請求項（抜粋）：
{11-20}面を主面とする基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、発光層と、第2のクラッド層とを含む積層構造の半導体層を形成する工程と、加熱下において、上記半導体層と上記基板とを一体に破断して上記基板に、{1-102}面で劈開された面による対の端面を形成するとともに、上記半導体層に上記基板の上記対の端面に沿う対の端面を形成する破断工程とを採ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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