特許

J-GLOBAL ID：200903015213591609

半導体装置

発明者： 平松 星紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-188634
公開番号（公開出願番号）：特開2009-026960
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】平行平板電極の上に搭載した半導体素子と平行平板電極との接合の信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、所定の隙間を形成するよう平行に離間する2枚の平板からなる平行平板電極と、上記隙間に配置されるとともに上記2枚の平板に実装される半導体素子と、上記隙間を埋めるとともに第1の硬化温度で硬化される第1の絶縁性樹脂と、上記平行平板電極の外周を包むとともに上記第1の硬化温度未満の第2の硬化温度で硬化される第2の絶縁性樹脂と、を有し、使用温度範囲において上記隙間が狭くなるよう上記2枚の平板に上記第1の絶縁性樹脂に発生する熱応力と上記第2の絶縁性樹脂に発生する熱応力との和が加わる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の隙間を形成するよう平行に離間する2枚の平板からなる平行平板電極と、 上記隙間に配置されるとともに上記2枚の平板に実装される半導体素子と、 上記隙間を埋めるとともに第1の硬化温度で硬化される第1の絶縁性樹脂と、 上記平行平板電極の外周を包むとともに上記第1の硬化温度未満の第2の硬化温度で硬化される第2の絶縁性樹脂と、 を有し、 使用温度範囲において上記隙間が狭くなるよう上記2枚の平板に上記第1の絶縁性樹脂に発生する熱応力と上記第2の絶縁性樹脂に発生する熱応力との和が加わることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (1件)：

H01L23/30 B

Fターム (14件)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA02 ,  4M109CA04 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA11 ,  4M109EA12 ,  4M109EB12 ,  4M109EB13 ,  4M109EB14 ,  4M109EE02 ,  4M109GA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-169822   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-362170   出願人：株式会社デンソー