特許
J-GLOBAL ID：200903015232275513
半導体受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130442
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330501
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】誘電体分離法を用いて集積化され、かつ、赤外領域において高い受光効率を示す半導体受光素子とその製造方法を提供する【解決手段】半導体基板上に第1の屈折率を有する膜と第2の屈折率を有する膜とが交互に積層された多重反射膜を形成し、この多重反射膜を介して素子層と半導体基板とを接着し、この素子層に誘電体分離法を適用して複数の素子領域を形成し、これらの素子領域に受光素子等を形成することにより、互いに誘電体分離された集積化半導体受光素子を得ることができる。前記多重反射膜は半導体基板と素子層とを互いに絶縁すると同時に、素子領域に形成された受光素子への入射光を反射し、再度受光素子に入射することにより、素子層の厚さを等価的に2倍とし、シリコンの吸収係数が低下する赤外領域においても高い受光効率を示す半導体受光素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の素子層に形成された半導体受光素子において、前記素子層は前記半導体基板との界面に第1の屈折率を有する膜と第2の屈折率を有する膜とが交互に積層された多重反射膜を備え、前記多重反射膜は、前記素子層と前記半導体基板とを絶縁分離し、かつ、前記素子層に形成された半導体受光素子を透過した透過光を前記界面で反射し、この反射光を再度前記半導体受光素子に入射することを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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