特許
J-GLOBAL ID:200903015256243159
半導体装置の洗浄剤および半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小林 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-049984
公開番号(公開出願番号):特開平9-246222
出願日: 1996年03月07日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課 題】 強い洗浄力を保ちながらしかも配線メタルを腐食しない半導体装置の水溶性レジスト洗浄剤および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ドライエッチング後に、水溶性フッ素化合物、有機溶剤、および水を含有し、かつpHが8.40〜9.80である洗浄剤を用いて半導体装置を洗浄する。
請求項(抜粋):
水溶性フッ素化合物、有機溶剤、および水を含有し、かつpHが8.40〜9.80であることを特徴とする半導体装置の洗浄剤。
IPC (4件):
H01L 21/304 341
, C11D 7/50
, H01L 21/3065
, H01L 21/308
FI (4件):
H01L 21/304 341 L
, C11D 7/50
, H01L 21/308 G
, H01L 21/302 N
引用特許:
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